特許

J-GLOBAL ID：201003073096838739

抵抗可変電子素子

発明者： 永瀬 雅夫 ,  日比野 浩樹 ,  影島 博之 ,  山口 浩司
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-226923
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062358
出願日： 2008年09月04日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】数層のグラフェンを用いた実用的なデバイスを提供する。【解決手段】段差部102を備えた基板101と、段差部102を含めた基板101の上に形成されたグラフェン層103と、所定の接触圧でグラフェン層103に接触してこの上を移動可能とされているプローブ105と、グラフェン層103に接続する共通電極104とを備える。グラフェン層103においては、段差部102の凹部の側の平坦部131と、段差部102の凹部より平坦部131の側に形成されるバリア領域132と、段差部102に形成される注入領域133と、段差部102の凸部の側の平坦部134とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

段差部を備えた基板と、 前記段差部を含めた前記基板の上に形成されたグラフェン層と、 前記グラフェン層の前記段差部における領域に電子を注入する電子注入手段と、 前記段差部の凸部の側の平坦部および前記段差部の凹部の側の平坦部の少なくとも一方の前記グラフェン層における電流を検出する電流検出手段 を備えることを特徴とする抵抗可変電子素子。

IPC (3件)：

H01L 49/00 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

FI (3件)：

H01L49/00 Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/66 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子デバイス,受光・発光デバイス、それを用いた電子集積回路および光集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-180863   出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響