特許
J-GLOBAL ID:201003073358903120
半導体レーザのチューニング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
片山 修平
, 八田 俊之
, 横山 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-303939
公開番号(公開出願番号):特開2010-129830
出願日: 2008年11月28日
公開日(公表日): 2010年06月10日
要約:
【課題】 電力消費量を抑制しつつ発振波長を選択することができる半導体レーザの制御方法およびレーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザの制御方法は、回折格子を有する回折格子部にスペース部が連結されたセグメントを複数有する分布反射領域(11)を備えた半導体レーザ(10)において、複数のセグメントそれぞれの屈折率制御に用いるパラメータ値の差を実質的に一定に制御するステップと、パラメータ値の差を保ちつつパラメータの基底値とパラメータ値との間にセグメントの周期的な波長特性が1周期以上介在する場合にパラメータ値を基底値側に周期単位でシフトさせるステップと、を含む。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
それぞれが周期的な波長特性を有する複数の波長選択領域を有する半導体レーザにおいて、
前記波長選択領域に対して屈折率制御をなすステップと、
前記屈折率制御によって実現された、前記波長選択領域それぞれの波長特性が、屈折率の基底値によって実現される波長特性に比べて、1周期以上変化することを確認するステップと、
前記確認された波長選択領域の屈折率を前記基底値側に前記1周期単位でシフトさせるステップと、
を含むことを特徴とする半導体レーザのチューニング方法。
IPC (3件):
H01S 5/068
, H01S 5/12
, H01S 5/125
FI (3件):
H01S5/0687
, H01S5/12
, H01S5/125
Fターム (17件):
5F173AB03
, 5F173AB13
, 5F173AB24
, 5F173AB46
, 5F173AB49
, 5F173AD30
, 5F173AR04
, 5F173AR06
, 5F173AR94
, 5F173SA06
, 5F173SA26
, 5F173SE01
, 5F173SE10
, 5F173SF17
, 5F173SF33
, 5F173SF46
, 5F173SF63
引用特許:
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