特許
J-GLOBAL ID：201003074037791881

窪んだフィールドプレートを備えたパワーMOSFET

発明者：
ダルウィッシュ,モハメド・エヌ

ダルウィッシュ,モハメド・エヌ について


出願人/特許権者：
マックスパワー・セミコンダクター・インコーポレイテッド

マックスパワー・セミコンダクター・インコーポレイテッド について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-530396
公開番号（公開出願番号）：特表2010-505270
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
トレンチMOSFETは、ゲートトレンチに隣接する窪んだフィールドプレート(RFP)トレンチを包含する。RFPトレンチは、RFPトレンチの壁に沿った誘電体層によってダイから絶縁されたRFP電極を包含する。ゲートトレンチは底に厚い酸化物層を有し、ゲートトレンチおよびRFPのトレンチは同じ処理ステップで好ましくは形成され、実質的に同じ深さである。MOSFETが、第3の四分円で(ソース/ボディ-ドレイン接合部が順方向にバイアスされて)に動作するとき、RFP電極およびゲート電極の組合わされた効果は、少数キャリア拡散電流および逆回復電荷を著しく減少させる。RFP電極はまた窪んだフィールドプレートとして機能し、MOSFETのソース/ボディ-ドレイン接合が逆バイアスされるとチャネル領域の電界を減じる。
請求項（抜粋）：
半導体ダイに形成されるMOSFETであって、 ダイの表面から延在するゲートトレンチを含み、ゲートトレンチはゲート電極を含み、ゲート電極は第1の誘電体層によってダイから分離され、第1の誘電体層は、ゲートトレンチの底に第1の部分を含み、ゲートトレンチの側壁に第2の部分を含み、第1の部分は第2の部分より厚く、さらに ダイの表面から延在する第1の窪んだフィールドプレート(RFP)トレンチを含み、第1のRFPトレンチは第1のRFP電極を包含し、第1のRFP電極は第2の誘電体層によってダイから分離され、さらに ダイの表面から延在する第2のRFPトレンチを含み、第2のRFP電極は第2のRFP電極を包含し、第2のRFPトレンチは第3の誘電体層によってダイから分離され、ゲートトレンチは第1および第2のRFPトレンチの間に位置し、 ゲートトレンチと第1のRFPトレンチとの間のダイのメサと、 メサにおけるダイの表面およびゲートトレンチの側壁に隣接した第1の導電型のソース領域と、 ゲートトレンチの側壁およびソース領域に隣接した第1の導電型とは反対の第2の導電型のボディ領域と、 ボディ領域に隣接した第1の導電型のドレイン-ドリフト領域とを含み、 第1および第2のRFP電極のそれぞれの底は、ゲート電極の底よりも深いレベルまでダイの表面の下に位置し、第1および第2のRFPトレンチの各々の深さはゲートトレンチの深さと実質的に等しい、MOSFET。
IPC (3件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (11件)：
H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301V
引用特許：
審査官引用 (4件)
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