特許

J-GLOBAL ID：201003076933710230

歪みシリコン窒化物膜及び該膜を含むデバイスの作製方法

発明者： クラーク,ロバート ディー
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-501038
公開番号（公開出願番号）：特表2010-530127
出願日： 2008年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

歪みSiN膜及び該歪みSiN膜を含む半導体デバイスの作製方法。当該方法は、シリコン先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、第1レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第1反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、及び、前記第1レベルとは異なる第2レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第2反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露することで、前記の基板上に作製されたシリコン窒化物膜の特性が前記歪みSiN膜を供するように変化する、工程を有する。

請求項（抜粋）：

処理チャンバ内において基板上に歪みSiN膜を作製方法であって: シリコン先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程; 前記シリコン先駆体と第1レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて第1反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程;及び、 前記第1レベルとは異なる第2レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第2反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露することで、前記の基板上に作製されたSiN膜の特性が前記歪みSiN膜を供するように変化する、工程; を有する方法。

IPC (9件)：

H01L 21/318 ,  C01B 21/068 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/515 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/768

FI (8件)：

H01L21/318 B ,  C01B21/068 Y ,  C23C16/42 ,  C23C16/515 ,  H01L21/205 ,  H01L27/08 102B ,  H01L29/78 301N ,  H01L21/90 P

Fターム (94件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030FA01 ,  4K030KA20 ,  4K030LA15 ,  5F033GG00 ,  5F033GG02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH28 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033XX19 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AA15 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB04 ,  5F045BB17 ,  5F045BB19 ,  5F045CA05 ,  5F045DA69 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045EH18 ,  5F045HA23 ,  5F048AA08 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BD01 ,  5F048BG03 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F058BA06 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA01 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA07 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF56 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG14 ,  5F140CC08 ,  5F140CC13 ,  5F140CC14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平1-195277
  
• 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-004191   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開平1-195277
  
• 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-004191   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平1-195277