成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-004191
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287194
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】複数枚の被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にSiBCN薄膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスの3種類のガスの同時供給と窒化ガスの供給とを間欠的に且つ交互に行うようにする。これにより、比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数枚の被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にSiBCN薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスの3種類のガスの同時供給と前記窒化ガスの供給とを間欠的に且つ交互に行うようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , C23C 16/52 , C23C 16/42

FI (3件)：

H01L21/318 B , C23C16/52 , C23C16/42

Fターム (35件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA41 , 4K030BA49 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030HA15 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA06 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF26 , 5F058BF30 , 5F058BF36 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (4件)

照明装置および液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-192257 出願人：東芝ライテック株式会社
特開平2-93071号公報
ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193846 出願人：理化学研究所, 新技術事業団

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審査官引用 (7件)

多層薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-094688 出願人：松下電器産業株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-234841 出願人：株式会社日立国際電気
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-014003 出願人：株式会社日立国際電気

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