特許

J-GLOBAL ID：201003077965389791

素子搭載用基板、半導体モジュール、携帯機器ならびに素子搭載用基板の製造方法

発明者： 小原 泰浩 ,  臼井 良輔 ,  井上 恭典
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-254413
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087230
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：

【課題】半導体素子を搭載するための素子搭載用基板、およびこの素子搭載用基板に半導体素子を搭載してなる半導体モジュールの製造時間を短縮する。【解決手段】素子搭載用基板100は、非晶質のシリコン含有組成物からなる基材10、基材10の一方の主表面に設けられた第1配線層16、および基材10の他方の主表面に設けられた第2配線層18を含む基板構成単位15と、基材10を貫通するビアホール19に設けられ、第1配線層16又は第2配線層18とを電気的に接続するビア導体20と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非晶質のシリコン含有組成物からなる基材、前記基材の一方の主表面に設けられた第1配線層、および前記基材の他方の主表面に設けられた第2配線層を含む基板構成単位と、 前記基材を貫通するビアホールに設けられ、前記第1配線層と前記第2配線層とを電気的に接続するビア導体と、 を備えた素子搭載用基板であって、 前記基板構成単位を複数積層し、前記複数の基板構成単位の前記基材間には接着層が配置されており、 前記第1配線層又は第2配線層は、前記基材を覆って前記基材と接していることを特徴とする素子搭載用基板。

IPC (2件)：

H01L 23/15 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L23/14 C ,  H01L23/12 N

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-364780   出願人：東洋紡績株式会社