特許
J-GLOBAL ID:201003078727237270

有機EL素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 前田 弘 ,  竹内 祐二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-299552
公開番号(公開出願番号):特開2010-129201
出願日: 2008年11月25日
公開日(公表日): 2010年06月10日
要約:
【課題】有機EL素子の製造方法において、有機EL素子の良好な発光特性を維持しつつ、その製造において優れた作業性及び生産性を得る。【解決手段】有機EL素子の製造方法は、表面に有機層が形成された転写基板と被転写基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程と、上記重ね合わせ工程において被転写基板と重ね合わせた転写基板に真空雰囲気の下で輻射線を照射することにより該転写基板上の有機層を該被転写基板に転写する転写工程と、を備え、上記重ね合わせ工程を、オゾン濃度が30ppb以下である調整空気の雰囲気下で行うことを特徴とする。【選択図】図3
請求項(抜粋):
表面に有機層が形成された転写基板と被転写基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程と、 上記重ね合わせ工程において被転写基板と重ね合わせた転写基板に真空雰囲気の下で輻射線を照射することにより該転写基板上の有機層を該被転写基板に転写する転写工程と、 を備えた有機EL素子の製造方法であって、 上記重ね合わせ工程を、オゾン濃度が30ppb以下である調整空気の雰囲気下で行うことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (2件):
H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (2件):
H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (8件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC01 ,  3K107CC45 ,  3K107FF14 ,  3K107FF17 ,  3K107GG09 ,  3K107GG28
引用特許:
出願人引用 (1件)

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