特許
J-GLOBAL ID:201003080810083867

半導体素子の樹脂封止方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-008000
公開番号(公開出願番号):特開2010-165940
出願日: 2009年01月16日
公開日(公表日): 2010年07月29日
要約:
【課題】支持板上の半導体素子が封止用樹脂の流動力により当初の接着位置から位置ずれを起こすことがなく、半導体素子を精密な位置で樹脂封止する。【解決手段】支持体10に形成した接着剤層20の所定位置に、半導体素子30を位置合わせして接着する工程と、支持体10の所定位置に接着した半導体素子30を固定するように、半導体素子30の一部を流動状態の第1の封止樹脂40を硬化させて樹脂封止する工程と、支持体10の所定位置に固定した半導体素子30をモールド金型内にセットし、第1の封止樹脂42から露出する半導体素子30の露出部を第2の封止樹脂50により樹脂封止する工程と、樹脂封止した半導体素子30から支持体10および接着剤層20を除去する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図4
請求項(抜粋):
支持体上に形成した接着剤層の所定位置に、半導体素子を位置合わせして接着する工程と、 前記支持体の所定位置に接着した前記半導体素子を固定するように、前記半導体素子の一部を流動状態の第1の封止樹脂を硬化させて樹脂封止する工程と、 前記支持体の所定位置に固定した半導体素子をモールド金型内にセットし、前記第1の封止樹脂から露出する前記半導体素子の露出部を第2の封止樹脂により樹脂封止する工程と、 前記樹脂封止した前記半導体素子から前記支持体および前記接着剤層を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の樹脂封止方法。
IPC (1件):
H01L 21/56
FI (1件):
H01L21/56 R
Fターム (5件):
5F061AA02 ,  5F061BA07 ,  5F061CA05 ,  5F061CA22 ,  5F061FA06
引用特許:
審査官引用 (2件)

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