特許

J-GLOBAL ID：201003080974536803

多状態の不揮発性メモリ素子

発明者： チャン, トニー
出願人/特許権者： インターモレキュラー, インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-518392
公開番号（公開出願番号）：特表2010-534941
出願日： 2008年07月24日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

多状態の不揮発性メモリ素子が提供される。多状態の不揮発性メモリ素子は、複数の層を含む。各層は、異なる双安定の材料に基づき得る。双安定材料は、抵抗性スイッチングの金属酸化物などの抵抗性スイッチング材料であり得る。選択に応じて、導体層と電流ステアリング素子とが、双安定抵抗性スイッチングの金属酸化物層と直列に接続され得る。一実施形態において、多状態の不揮発性メモリ素子は、第一の低抵抗状態および第一の高抵抗状態を有する第一の抵抗性スイッチング層と、該第一の抵抗性スイッチング層と直列に接続され、第二の低抵抗状態および第二の高抵抗状態を有する第二の抵抗性スイッチング層とを備え、該第一の高抵抗状態の抵抗は、該第一の低抵抗状態の抵抗よりも大きく、かつ該第二の低抵抗状態の抵抗よりも大きく、該第二の高抵抗状態の抵抗は、該第一の低抵抗状態の該抵抗よりも大きく、かつ該第二の低抵抗状態の該抵抗よりも大きい。

請求項（抜粋）：

多状態の不揮発性メモリ素子であって、 第一の低抵抗状態および第一の高抵抗状態を有する第一の抵抗性スイッチング層と、 該第一の抵抗性スイッチング層と直列に接続され、第二の低抵抗状態および第二の高抵抗状態を有する第二の抵抗性スイッチング層と を備え、 該第一の高抵抗状態の抵抗は、該第一の低抵抗状態の抵抗よりも大きく、かつ該第二の低抵抗状態の抵抗よりも大きく、 該第二の高抵抗状態の抵抗は、該第一の低抵抗状態の該抵抗よりも大きく、かつ該第二の低抵抗状態の該抵抗よりも大きい、 多状態の不揮発性メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/10 ,  G11C 13/00 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マルチレベル相変化メモリ、及びその動作方法並びに製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-244397   出願人：財団法人工業技術研究院
• 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130645   出願人：三星電子株式会社