特許

J-GLOBAL ID：201003081408229002

ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス

発明者： 大兼 幹彦 ,  佐藤 丈 ,  窪田 崇秀 ,  永沼 博 ,  安藤 康夫
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-077606
公開番号（公開出願番号）：特開2010-229477
出願日： 2009年03月26日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】高スピン分極率かつ低磁気異方性を有することで、高磁界感度な磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能なホイスラー合金材料、そのホイスラー合金材料を用いた磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。【解決手段】ホイスラー合金材料は、Co2(FexMn1-x)Si合金(x=0.1〜0.9)の組成比を有している。酸化マグネシウムまたはクロムから成る下地層を介して形成された後、熱処理プロセスを施して形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Co2(FexMn1-x)Si合金(x=0.1〜0.9)の組成比を有することを、特徴とするホイスラー合金材料。

IPC (6件)：

C22C 19/07 ,  H01L 43/08 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/28 ,  H01F 41/22

FI (7件)：

C22C19/07 C ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F10/28 ,  H01F41/22

Fターム (20件)：

5E049AA04 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049DB02 ,  5E049DB04 ,  5E049GC01 ,  5E049JC01 ,  5F092AA01 ,  5F092AB01 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB24 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB44 ,  5F092BC18 ,  5F092BE24 ,  5F092CA25