特許

J-GLOBAL ID：201003081626565669

基板トレイ及びその基板トレイを備えた気相成長装置

発明者： 中澤 崇一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-246153
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080614
出願日： 2008年09月25日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：

【課題】異方的な反りが生じる窒化物系半導体基板を用いて素子を形成する場合に、製造歩留の低下を抑制することが可能な基板ホルダを提供する。【解決手段】この基板ホルダ100は、窒化物系半導体基板10が載置される座ぐり部110内に形成された凹部120と、座ぐり部110内に設けられ、凹部120の外周部側に配された外周面130とを備えている。そして、外周面130は、凹部120の底面部からA1方向の線L1上に位置する部分(a点およびa点近傍部分、c点およびc点近傍部分)までの高さh1が、凹部120の底面部からB1方向の線L2上に位置する部分(b点およびb点近傍部分、d点およびd点近傍部分)までの高さh2よりも高くなるように形成されている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

窒化物系半導体基板を保持する基板ホルダであって、 窒化物系半導体基板が載置される載置領域に形成された凹部と、 前記載置領域に設けられ、前記凹部の外周部側に配された外周面とを備え、 前記外周面は、前記凹部の中心を通るとともに面内方向における第1方向の線上に位置する部分が、前記凹部の中心を通り前記第1方向と直交する第2方向の線上に位置する部分よりも上方に位置していることを特徴とする、基板ホルダ。

IPC (3件)：

H01L 21/683 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/458

FI (3件)：

H01L21/68 N ,  H01L21/205 ,  C23C16/458

Fターム (29件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA24 ,  4K030LA14 ,  5F031CA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA07 ,  5F031HA08 ,  5F031HA37 ,  5F031MA28 ,  5F031PA11 ,  5F031PA13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045BB04 ,  5F045CA12 ,  5F045DA69 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK03 ,  5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化合物半導体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205040   出願人：京セラ株式会社