特許

J-GLOBAL ID：201003082138330675

磁性膜を用いた信号処理デバイスおよび信号処理方法

発明者： 中 村 志 保 ,  森 瀬 博 史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-050543
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205975
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】低消費電力で、多入力信号の加算処理に優れた信号処理デバイスおよび信号処理方法を提供することを可能にする。【解決手段】少なくとも1層以上の磁性層を含む連続膜10と、連続膜上に、連続膜に直接に接触するかまたは絶縁層を介して接触するように設けられ、前記連続膜との接触面の形状はドット形状であり、入力信号を受けることにより、連続膜との接触面直下の、連続膜の磁性層の領域にスピン波を発生させる複数のスピン波発生部201〜20nと、連続膜上に設けられ、スピン波発生部によって発生されられて連続膜を伝播するスピン波を電気信号として検出する少なくとも1個の信号検出部30と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1層以上の磁性層を含む連続膜と、 前記連続膜上に、前記連続膜に直接に接触するかまたは絶縁層を介して接触するように設けられ、前記連続膜との接触面の形状はドット形状であり、入力信号を受けることにより、前記連続膜との接触面直下の、前記連続膜の磁性層の領域にスピン波を発生させる複数のスピン波発生部と、 前記連続膜上に設けられ、前記スピン波発生部によって発生されられて前記連続膜を伝播するスピン波を電気信号として検出する少なくとも1個の信号検出部と、 を備えていることを特徴とする信号処理デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

Fターム (27件)：

5F092AA04 ,  5F092AB01 ,  5F092AB10 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC21 ,  5F092AD23 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強いスピン波発生方法及びスピン波を利用した超高速情報処理スピン波素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-531027   出願人：ソウルナショナルユニヴァーシティーインダストリーファウンデーション
• 磁気センサ及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-265551   出願人：株式会社東芝