特許

J-GLOBAL ID：201003082274471789

レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-319623
公開番号（公開出願番号）：特開2010-145480
出願日： 2008年12月16日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

【課題】分子レジスト材料を用いたレジストパターンのパターン不良を防止できるようにする。【解決手段】まず、基板の上に、酸不安定基を含まないアルカリ可溶性で且つ三量体以上の環状のオリゴマーと、酸不安定基を含む分子化合物と、光酸発生剤とを含み、且つポリマーを含まないレジスト材料からレジスト膜102を形成する。続いて、形成されたレジスト膜102に極紫外線よりなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜102を加熱し、その後、加熱されたレジスト膜102に対して現像を行って、レジスト膜102からレジストパターン102aを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸不安定基を含まないアルカリ可溶性で且つ三量体以上の環状のオリゴマーと、 酸不安定基を含む分子化合物と、 光酸発生剤とを含み、 且つ、ポリマーを含まないことを特徴とするレジスト材料。

IPC (3件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C07C 39/12

FI (3件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C07C39/12

Fターム (16件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF29 ,  2H025BG00 ,  2H025CB00 ,  2H025CC20 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76

引用特許：

出願人引用 (1件)

• レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-269648   出願人：富士フイルム株式会社