特許
J-GLOBAL ID：200903061242105340
レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-269648
公開番号（公開出願番号）：特開2008-089871
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光などの活性光線又は放射線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に、分子レジストに期待される高解像性を損なうことなく、分子レジストに付随する問題点であるパターンの倒れを抑制し、さらに、この高解像性、パターン倒れ低減を維持したまま、高い感度、良好なラインエッジラフネス、アウトガス抑制といった性質をも付与したレジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性基を生じる基を含有する特定構造の低分子化合物とアルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する分子量1,000〜5,000のポリマー低分子量ポリマーとを含有するレジスト組成物、および、当該レジスト組成物を用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(T)下記一般式(T-I)あるいは(T-II)で表される化合物、及び、
(B)酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する重量平均分子量1,000〜5,000のポリマーを含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/004 503A
, H01L21/30 502R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA12
, 2H025FA17
