特許

J-GLOBAL ID：201003083043501479

発光素子用エピタキシャルウェハおよびその製造方法

発明者： 竹内 隆 ,  大村 雅一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-299632
公開番号（公開出願番号）：特開2010-126372
出願日： 2008年11月25日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：

【課題】高品位で且つ低コストな発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】n型基板2上に、少なくともn型クラッド層6、活性層8、p型クラッド層を順次積層する化合物半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、n型基板2として、ほぼ円形であるn型基板の直径を(a)、n型基板の厚さを(b)としたとき、(b)/(a)が0.0047以下であるn型基板を用いて作製したものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型基板上に、少なくともn型クラッド層、活性層、p型クラッド層を順次積層する化合物半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、 前記n型基板として、ほぼ円形であるn型基板の直径を(a)、n型基板の厚さを(b)としたとき、(b)/(a)が0.0047以下であるn型基板を用いて作製したことを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェハ。

IPC (6件)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/02 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 ,  C23C 16/30

FI (6件)：

C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 100 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 502A ,  C23C16/30

Fターム (43件)：

4G077AA03 ,  4G077BE41 ,  4G077DB01 ,  4G077DB11 ,  4G077EA04 ,  4G077ED04 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TC01 ,  4G077TC08 ,  4G077TC19 ,  4G077TK02 ,  4G077TK04 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA21 ,  4K030BA25 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CA64 ,  5F041CA98 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AF04 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光ダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276139   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-068589   出願人：ソニー株式会社