特許
J-GLOBAL ID：200903095115060917

半導体発光素子とその製造方法

発明者：
玉村 好司

玉村 好司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068589
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270797
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子において原子状水素の発生を抑制してドーパントの高い活性化率を実現する、半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体基板上に、少なくともn型の導電型のクラッド層3と、活性層4と、p型の導電型のクラッド層5と、電極の接触するキャップ層7が積層され、かつクラッド層5内のp型導電型を形成するドーパントZnは水素が存在すると不活性化される構成であるとき、キャップ層7を、反応の過程において水素を発生させない原材料、例えばTMAs(トリメチルひ素)等の有機金属を用いて形成する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に、少なくともn型あるいはp型いずれかの導電型のクラッド層と、活性層と、p型あるいはn型いずれかの導電型のクラッド層と、電極の接触するキャップ層が積層され、かつ前記クラッド層内のn型あるいはp型いずれかの導電型を形成するドーパントは水素が存在すると不活性化される構成である半導体発光装置の製造方法であって、前記キャップ層を、反応の過程において水素を発生させない原材料を用いて形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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