特許

J-GLOBAL ID：201003083239273822

薄膜形成方法、及び薄膜形成装置

発明者： 北川 英夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-291006
公開番号（公開出願番号）：特開2010-118516
出願日： 2008年11月13日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：

【課題】 低温で形成されたSiO2膜は高温で形成されたSiO2膜より特性が僅かに劣るため、そのままでは使う事が出来なかった。又、高温で形成されたSiO2膜と同等の特性を得るためには、後工程で少なくとも500°C以上でのアニールを行う必要があった。ところが、プロセス低温化の要求から、基板温度を500°C以下に維持したまま、高品質なSiO2膜を形成する技術の開発が必要とされていた。【解決手段】 活性な酸素原子を用いて500°C以下の低温でSiO2膜を成膜後、紫外光をシリコン基板のシリコン酸化膜側表面に1回または複数回照射する事で、Si基板を高温にする事なくSiO2膜の特性を改善させる事が可能となった。前記紫外光とは、200nm以上370nm以下の波長のみが含まれ、1回の照射時間が0.1マイクロ秒以下であり、照射1回当たりのエネルギー密度が0.01J/cm2以上であるという条件を満たす紫外光である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

活性な酸素原子を用いてシリコン基板を酸化してシリコン酸化膜を形成する工程と、 200nm以上370nm以下の波長のみが含まれ、1回の照射時間が0.1マイクロ秒以下であり、照射1回当たりのエネルギー密度が0.01J/cm2以上である紫外光を、該シリコン基板の該シリコン酸化膜側表面に1回または複数回入射させる工程を備えることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L21/316 P ,  H01L21/31 C ,  H01L21/31 E ,  H01L21/316 A ,  H01L29/78 301G

Fターム (32件)：

5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA15 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ14 ,  5F045EH02 ,  5F045EH18 ,  5F045HA18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE16 ,  5F140BE18 ,  5F140CE18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁膜の形成方法とそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-087323   出願人：セイコーエプソン株式会社