絶縁膜の形成方法とそれを用いた半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087323
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286259
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】本発明では、室温から600°Cまでの温度でシリコン上にSiO2膜を成長する方法を提供する。【解決手段】酸化ガスにあわせて希ガスを加え、またRFパワーを印加することにより酸素原子とラジカルを生じ、低温酸化を可能にした。

請求項（抜粋）：

希ガスと酸化ガスの混合ガスを流出し、酸素原子とラジカルを含むプラズマを発生するためにRF(無線周波)パワーを加え、それにより酸素原子とラジカルがシリコンと反応してSiO2を形成することを特徴とするSiO2膜の形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 21/31 , H01L 21/324 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/268 F , H01L 21/31 D , H01L 21/324 W , H01L 21/26 F , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 V

Fターム (40件)：

5F040DC01 , 5F040DC08 , 5F040DC09 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB07 , 5F045DC66 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF54 , 5F058BF73 , 5F058BH01 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110FF02 , 5F110FF21 , 5F110FF23 , 5F110FF36 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタデバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-087324 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-175738 出願人：大見忠弘
特開昭61-160943

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