特許
J-GLOBAL ID：201003083256536900
半導体センサー装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
栗原 浩之
, 村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-229607
公開番号（公開出願番号）：特開2010-060541
出願日： 2008年09月08日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】 狭ギャップで気密性を保ち、高信頼性の半導体センサー装置を提供する。【解決手段】 MEMSチップと気密封止用キャップチップと回路基板とそれらを封止する樹脂部材とを備え、 キャップチップは、MEMSチップ可動部を取り囲むようにリング状に配設された接合材と、接合材の内外周に形成された接合材用溝と、接合材の下地のメタライズ層と絶縁膜とを備え、 メタライズ層は、接合材の直下部と、接合材用溝の内面とその外側に外延した面に形成され、 絶縁膜は直下部と外延した面に形成され、接合材用溝の内面には形成されず、 MEMSチップにはメタライズ層が形成され、 キャップチップとMEMSチップとが、接合材を介して接合され、キャップチップと接合材は接合材用溝の内で電気的に接続される半導体センサー装置。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体基板から形成されて可動部を有するMEMSチップと、半導体基板から形成さ
れてMEMSチップの可動部を気密封止する1つ以上のキャップチップとを有するME
MS組立体と、
前記MEMSチップに配線で接続する回路基板と、
前記回路基板と前記MEMS組立体を封止する樹脂部材とを備える半導体センサー装
置であって、
前記キャップチップは、MEMSチップの可動部を取り囲むようにリング状に配設さ
れた接合材と、接合材の内周と外周の位置に形成された接合材用溝と、接合材の下地と
なるメタライズ層と、メタライズ層の下地となる絶縁膜とを備え、
前記メタライズ層は、接合材の直下部と、接合材用溝の内面と、接合材用溝の外側に
外延した面に形成され、
前記絶縁膜は、接合材の直下部と、接合材用溝の外側に外延した面に形成され、接合
材用溝の内面には形成されておらず、
前記MEMSチップは、前記接合材に対置してメタライズ層が形成されており、
前記キャップチップと前記MEMSチップとが、接合材を介して物理的に接続される
とともに、キャップチップと接合材とが、接合材用溝の内で電気的に接続されているこ
とを特徴とする半導体センサー装置。
IPC (6件)：
G01P 15/08
, G01C 19/56
, G01P 15/12
, G01P 9/04
, H01L 23/02
, H01L 23/06
G01P15/08 P
, G01C19/56
, G01P15/12 D
, G01P9/04
, H01L23/02 C
, H01L23/06 Z
2F105AA02
, 2F105AA03
, 2F105BB14
, 2F105BB15
, 2F105CC04
, 2F105CD03
, 2F105CD13
