特許

J-GLOBAL ID：201003084130255367

窒化ケイ素用研磨液及び研磨方法

発明者： 上村 哲也
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-147525
公開番号（公開出願番号）：特開2010-041037
出願日： 2009年06月22日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】半導体集積回路の作製において、窒化ケイ素を含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、窒化ケイ素を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン等のケイ素系化合物を含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】半導体集積回路を作製する際の平坦化工程において、窒化ケイ素を含む第1層と、ポリシリコン等のケイ素系化合物を含む第2層と、を少なくとも有して構成される被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、(a)コロイダルシリカと、(b)分子構造中に少なくとも1つのスルホン酸基またはホスホン酸基を有し、窒化ケイ素に対する研磨促進剤として機能する有機酸と、(c)水と、を含有し、pHが2.5〜5.0である窒化ケイ素用研磨液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体集積回路を作製する際の平坦化工程において、窒化ケイ素を含む第1層と、ポリシリコン、変性ポリシリコン、酸化ケイ素、炭化ケイ素、および酸化炭化ケイ素からなる群より選択される少なくとも1種のケイ素系化合物を含む第2層と、を少なくとも有して構成される被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、 (a)コロイダルシリカと、(b)分子構造中に少なくとも1つのスルホン酸基またはホスホン酸基を有し、窒化ケイ素に対する研磨促進剤として機能する有機酸と、(c)水と、を含有し、pHが2.5〜5.0である窒化ケイ素用研磨液。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550D

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 金属研磨剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-158830   出願人：住友化学株式会社
• 化学機械研磨用水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-388557   出願人：ジェイエスアール株式会社