特許
J-GLOBAL ID：201003084643922601

整流接合分路を含むパワースイッチング半導体デバイス

発明者：
アレン ヘフナー

アレン ヘフナー について

, 
リュ セイ-ヒョン

リュ セイ-ヒョン について

, 
アナント アガルワル

アナント アガルワル について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-536257
公開番号（公開出願番号）：特表2010-509771
出願日： 2007年11月02日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：
半導体デバイスは、第1の導電型を有するドリフト層と、ドリフト層に隣接したボディ領域とを含む。ボディ領域は、第1の導電型とは反対の第2の導電型を有し、ドリフト層とp-n接合を形成する。このデバイスはさらに、ボディ領域内にあって、第1の導電型を有するコンタクタ領域と、ボディ領域を貫通してコンタクタ領域からドリフト層まで延びる分路チャネル領域とを含む。分路チャネル領域は第1の導電型を有する。このデバイスはさらに、ボディ領域およびコンタクタ領域と電気的に接触した第1の端子と、ドリフト層と電気的に接触した第2の端子とを含む。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有するドリフト層と、 前記ドリフト層に隣接し、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有し、前記ドリフト層とp-n接合を形成した第1のボディ領域と、 前記第1のボディ領域上にあって、前記第2の導電型を有する第2のボディ領域と、 前記第1および第2のボディ領域に隣接し、前記第1の導電型を有するコンタクタ領域と、 前記第1のボディ領域と前記第2のボディ領域の間を前記コンタクタ領域から前記ドリフト層まで延び、前記第1の導電型を有する分路チャネル領域と、 前記第1および第2のボディ領域ならびに前記コンタクタ領域と電気的に接触した第1の端子と、 前記ドリフト層と電気的に接触した第2の端子と を含むことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/28
FI (8件)：
H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 F ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L21/28 301B
Fターム (24件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG18 ,  5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BA14 ,  5F048BB14 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD04 ,  5F048CB07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM