特許
J-GLOBAL ID：200903057695950702

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
金子 佐一郎

金子 佐一郎 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-357884
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086549
出願日： 2005年12月12日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】高耐圧でオン抵抗の低い電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】SiC基板10と、このSiC基板10の表面の所定部位に形成されるドレイン領域、及びソース領域と、ドレイン領域とソース領域との間に形成されるチャネル領域90と、ドレイン領域に形成されるドレイン電極140と、ソース領域に形成されるソース電極150と、チャネル領域90に対し、ゲート絶縁膜120を介して形成されるゲート電極130とを備える。そして、チャネル領域90は、P型の表面チャネル領域部60と、第2導電型の埋込チャネル領域部70からなり、ドレイン領域は、P型のドレイン領域部30と、N型のドレイン領域部40からなり、ソース領域は、P型のソース領域部100と、N型のソース領域部110から構成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
珪素よりもバンドギャップの広いワイドバンドギャップ半導体を有する半導体基板と、 前記半導体基板の表面の所定部位に形成されるドレイン領域、及びソース領域と、 前記ドレイン領域とソース領域との間に形成されるチャネル領域と、 前記ドレイン領域に形成されるドレイン電極と、 前記ソース領域に形成されるソース電極と、 前記チャネル領域に対し、ゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、 を具備し、 前記チャネル領域は、第1導電型の表面チャネル領域部と、第2導電型の埋込チャネル領域部からなり、前記ドレイン領域は、第1導電型のドレイン領域部と、第2導電型のドレイン領域部からなり、前記ソース領域は、第1導電型のソース領域部と、第2導電型のソース領域部からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 653A
Fターム (15件)：
5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110QQ17
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 炭化珪素半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229487   出願人：株式会社デンソー
審査官引用 (9件)
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135458   出願人：日産自動車株式会社
  • 特開昭54-035686
  • 特開昭57-072386
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