特許

J-GLOBAL ID：201003086185459002

半導体装置の製造方法

発明者： 谷田 篤志
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-273405
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103310
出願日： 2008年10月23日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

【課題】 縦型の半導体装置100を製造する方法において、半導体ウェハ2の端部側面2cを研磨した場合でも、半導体ウェハ2の端部側面2cにめっき14が成長することを抑制することができる製造方法を提供すること。【解決手段】 本方法は、半導体ウェハ2の表面2aに表面電極4を形成する表面電極形成工程と、その後に、半導体ウェハ2の端部側面2cを研磨する側面研磨工程と、その後に、半導体ウェハ2の裏面2bを研磨する裏面研磨工程と、その後に、半導体ウェハ2の裏面2bに裏面電極10を形成する裏面電極形成工程と、その後に、半導体ウェハ2の端部側面2cに酸化膜12を形成する保護膜形成工程と、その後に、表面電極4をめっき処理するめっき処理工程を備えている。酸化膜12によって、めっき処理工程において半導体ウェハ2の端部側面2cにめっき14が成長することが抑制される。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの表裏両面に一対の電極が形成された半導体装置を製造する方法であり、 前記半導体ウェハの表面に表面電極を形成する表面電極形成工程と、 その表面電極形成工程の後に、前記半導体ウェハの端部側面を研磨する側面研磨工程と、 その側面研磨工程の後に、前記半導体ウェハの裏面を研磨する裏面研磨工程と、 その裏面研磨工程の後に、前記半導体ウェハの裏面に裏面電極を形成する裏面電極形成工程と、 その裏面電極形成工程の後に、前記半導体ウェハの端部側面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、 その保護膜形成工程の後に、前記表面電極をめっき処理するめっき処理工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/288

FI (1件)：

H01L21/288 E

Fターム (11件)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104EE01 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-201821   出願人：株式会社デンソー