半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201821
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019412
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】半導体基板に反りを抑制すると共に、半導体素子を備えた半導体基板の表裏面それぞれに形成された各電極の半導体基板に対する密着力の差を低減させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子が形成された半導体基板10上に層間絶縁膜17が設けられている。そして、この層間絶縁膜17上に形成された第1表面電極18の表面には、コンタクトホール17aの形状に応じた凹部18aが複数設けられ、第1裏面電極31の表面はエッチング処理によってでこぼこになっていることで、第1表面電極18の表面積と第1裏面電極31の表面積との差が小さくされている。また、第2表面電極25および第2裏面電極32は、第1表面電極18および第1裏面電極31の表面それぞれに同時に湿式めっきの方法により形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された半導体基板(10)と、前記半導体基板の表面に形成されると共に、一部が開口したコンタクトホール(17a)が複数備えられた層間絶縁膜(17)と、前記層間絶縁膜と前記コンタクトホールとを覆うように形成された第1表面電極(18)、および前記第1表面電極の表面に形成された第2表面電極(25)と、前記半導体基板の裏面に形成された第1裏面電極(31)、および前記第1裏面電極の表面に形成され、前記第2表面電極と同じ材質の第2裏面電極(32)と、を有し、前記第1裏面電極の表面はでこぼこになっていると共に、前記第1表面電極の表面に前記コンタクトホールの形状に応じた凹部(18a)が複数設けられることで、前記第1表面電極の表面積と前記第1裏面電極の表面積との差が小さくされており、前記第2表面電極および前記第2裏面電極は、前記第1表面電極および前記第1裏面電極の表面それぞれに同時に形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/41 , H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/44 L , H01L29/78 655Z , H01L29/78 653A , H01L29/78 658F , H01L29/78 658G

Fターム (17件)：

4M104BB03 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104DD24 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD78 , 4M104FF02 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104FF34 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 4M104HH18 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法およびその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-354319 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

特開昭56-027926
特開昭61-234041
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-277940 出願人：株式会社日立製作所

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