特許

J-GLOBAL ID：201003086236766860

(Zn,Al)O系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記(Zn,Al)O系透明電極層の形成に用いられるZnO-Al2O3系スパッタリングターゲット

発明者： 中澤 弘実 ,  森 理恵
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (2件)： 富田 和夫 ,  影山 秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-060450
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219084
出願日： 2009年03月13日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】 低い体積抵抗率を有し、もって光電変換効率の向上に寄与する(Zn,Al)O系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記(Zn,Al)O系透明電極層の形成に用いられるZnO-Al2O3系スパッタリングターゲットを提供する。【課題手段】太陽電池を構成する(Zn,Al)O系透明電極層を、質量%で、 酸化アルミニウム:0.1〜5%、金属Al:0.1〜5%、酸化亜鉛:残り、からなる配合組成(ただし、不可避不純物含有量:0.1%以下)を有する加圧成形体の焼結体で構成されたZnO-Al2O3系スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

(Zn,Al)O系透明電極層を構成層とする太陽電池において、前記(Zn,Al)O系透明電極層を、質量%で、 酸化アルミニウム:0.1〜5%、 金属Al:0.1〜5%、 酸化亜鉛:残り、 からなる配合組成(ただし、不可避不純物含有量:0.1%以下)を有する加圧成形体の焼結体で構成されたZnO-Al2O3系スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜してなる、体積抵抗率の低い(Zn,Al)O系透明電極層で構成したことを特徴とする光電変換効率の高い太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 51/42

FI (3件)：

H01L31/04 H ,  H01L31/04 E ,  H01L31/04 D

Fターム (8件)：

5F051AA02 ,  5F051AA10 ,  5F051AA11 ,  5F051FA02 ,  5F151AA02 ,  5F151AA10 ,  5F151AA11 ,  5F151FA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-305532   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 透明電導膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172735   出願人：旭硝子株式会社