特許

J-GLOBAL ID：201003087134212866

オニウム塩化合物、それを含む高分子化合物、前記高分子化合物を含む化学増幅型レジスト組成物、および前記組成物を用いたパターン形成方法

発明者： ヒュン-サン ジョ ,  ジュ-ヒョン パク ,  ジュン-フン オー ,  テ-ヒョン シン
出願人/特許権者： コリア クンホ ペトロケミカル カンパニー リミテッド
代理人 (2件)： 藤田 和子 ,  新山 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-330490
公開番号（公開出願番号）：特開2010-077377
出願日： 2008年12月25日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：

【課題】ラインエッジラフネスを低くし、ガス発生量を減らし、高い感度や高い熱安定性などの特性を有する化学増幅型レジスト組成物とそれに用いられる光酸発生剤を含有した新規な高分子化合物を提供する。【解決手段】化学式1で表される化合物。(化学式1)【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記化学式1で表される化合物。

IPC (5件)：

C08F 20/38 ,  G03F 7/039 ,  C07C 309/12 ,  C07C 381/12 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F20/38 ,  G03F7/039 601 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  H01L21/30 502R

Fターム (40件)：

2H025AA01 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AB46 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03T ,  4J100BA15P ,  4J100BA15T ,  4J100BA50P ,  4J100BA51P ,  4J100BA56P ,  4J100BB01P ,  4J100BB03P ,  4J100BB05P ,  4J100BB12P ,  4J100BC03S ,  4J100BC09Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-023340   出願人：信越化学工業株式会社