特許
J-GLOBAL ID:201003087490360110
電荷輸送性非晶質薄膜の分子配向方向の制御方法及び電荷輸送性非晶質薄膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
佐々木 一也
, 成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 佐野 英一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-057462
公開番号(公開出願番号):特開2010-212112
出願日: 2009年03月11日
公開日(公表日): 2010年09月24日
要約:
【課題】分子配向方向が制御された電荷輸送性非晶質薄膜を得る方法を提供する。【解決手段】明確な融点を示さず、60°C以上のガラス転移点(Tg)を有し、分子量400〜2500の範囲にあり、電荷輸送性のアミン系π共役化合物であって、該π共役化合物が内接する最小直径の円筒の長さ(L)と直径(D)の比(L/D)が2.5以上であるπ共役化合物を、基板に蒸着製膜する際に、基板温度を制御することにより、π共役化合物の配向方向を制御して電荷輸送性非晶質膜の配向方向を制御する方法、及び蒸着する基板の温度を0°C〜Tg-30°Cの範囲に制御してπ共役化合物の分子配向が基板に対して水平方向に配向した電荷輸送性非晶質薄膜を製造する方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
明確な融点を示さず、60°C以上のガラス転移点を有し、分子量400〜2500の範囲にあり、電荷輸送性のアミン系のπ共役化合物であって、該π共役化合物が内接する最小直径の円筒の長さ(L)と直径(D)の比(L/D)が2.5以上であるπ共役化合物を、基板に蒸着製膜する際に、基板温度を制御することにより、π共役化合物の配向方向を制御することを特徴とする電荷輸送性非晶質膜の配向方向制御方法。
IPC (4件):
H05B 33/10
, H01L 51/50
, C23C 14/24
, C23C 14/12
FI (5件):
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/22 D
, C23C14/24 K
, C23C14/12
Fターム (20件):
3K107AA01
, 3K107CC11
, 3K107CC21
, 3K107DD71
, 3K107DD78
, 3K107FF05
, 3K107FF15
, 3K107FF17
, 3K107FF18
, 3K107GG04
, 3K107GG28
, 4K029AA02
, 4K029AA04
, 4K029AA06
, 4K029AA08
, 4K029AA09
, 4K029BA62
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029EA08
引用文献:
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