特許
J-GLOBAL ID：201003088558157675

半導体装置の作製方法

発明者：
花岡 一哉

花岡 一哉 について

, 
新宮 崇史

新宮 崇史 について

, 
遠藤 太一

遠藤 太一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-207362
公開番号（公開出願番号）：特開2010-093241
出願日： 2009年09月08日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：
【課題】ガラス基板を使用したSOI基板上に形成しても、ゲート電極を形成する導電膜を成膜する際に該導電膜の加える応力により、ガラス基板上の絶縁膜及び半導体膜がはがれないような半導体装置の作製方法の提供を課題の一つとする。【解決手段】ボンド基板上に第1の絶縁膜を形成し、ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、ボンド基板を、第1の絶縁膜を介してガラス基板と貼り合わせ、ボンド基板を脆化層において分離してガラス基板上に第1の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、第1の絶縁膜及び半導体膜の周辺領域を除去してガラス基板の一部を露出させ、半導体膜、第1の絶縁膜及びガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に接して2層構造の積層導電膜を形成し、2層構造の積層導電膜として、上層に引っ張り応力を有する導電膜、下層に圧縮応力を有する導電膜を用いて半導体装置を作製する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ボンド基板上に第1の絶縁膜を形成し、 前記ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、 前記ボンド基板を、前記第1の絶縁膜を介してガラス基板と貼り合わせ、 前記ボンド基板を前記脆化層において分離して前記ガラス基板上に前記第1の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、 前記第1の絶縁膜及び前記半導体膜の周辺領域を除去して前記ガラス基板の一部を露出させ、 前記半導体膜、前記第1の絶縁膜及び前記ガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上に接して積層導電膜を形成し、 前記積層導電膜は、引っ張り応力を有する導電膜及び圧縮応力を有する導電膜を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (11件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (14件)：
H01L29/78 627D ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 R ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/322 X ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/90 C
Fターム (177件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF08 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033LL02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033TT08 ,  5F033VV15 ,  5F033XX12 ,  5F033XX19 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F152AA01 ,  5F152AA12 ,  5F152AA13 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CE03 ,  5F152CE04 ,  5F152CE06 ,  5F152CE08 ,  5F152CE24 ,  5F152CE28 ,  5F152CE29 ,  5F152DD02 ,  5F152DD04 ,  5F152DD06 ,  5F152FF01 ,  5F152FF11 ,  5F152FF21 ,  5F152FF28 ,  5F152FF30 ,  5F152FF35 ,  5F152FF36 ,  5F152LL16 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP06 ,  5F152LP07 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN14 ,  5F152NP11 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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