半導体検査装置及び検査方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-223612
公開番号（公開出願番号）：特開2010-060317
出願日： 2008年09月01日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】半導体デバイスに対して無バイアス状態での検査を好適に行うことが可能な半導体検査装置及び検査方法を提供する。【解決手段】半導体デバイスSに対し、パルスレーザ光の照射によって発生する電磁波を利用して無バイアス状態で検査を行うとともに、半導体デバイスSのレイアウト情報を参照して検査範囲を設定し、その範囲内でパルスレーザ光の検査光L1による2次元走査を行う。また、半導体デバイスSの検査範囲を光学系の光軸に対して所定位置に配置し、半導体デバイスSに対して固浸レンズ36を設置した状態で、走査手段であるガルバノメータスキャナ30により、固浸レンズ36を介して半導体デバイスSの検査範囲内を検査光L1によって2次元走査するとともに、半導体デバイスSから出射された電磁波を光伝導素子40で検出する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

検査対象となる無バイアス状態の半導体デバイスを保持する検査ステージと、前記半導体デバイスに対し、パルスレーザ光を検査光として照射するレーザ光源と、前記検査光を前記レーザ光源から前記半導体デバイスへと導くとともに、前記検査光の光路を制御して前記半導体デバイスに対して設定された検査範囲内を前記検査光によって2次元走査する走査手段を有する検査光導光光学系と、前記半導体デバイス及び前記検査光導光光学系の間に設置され、前記検査光導光光学系からの前記検査光を前記半導体デバイスへと集光しつつ照射する固浸レンズと、前記検査光の照射によって前記半導体デバイスで発生し、前記固浸レンズを介して出射された電磁波を検出する電磁波検出手段と、前記半導体デバイスの検査を制御する検査制御手段とを備え、前記検査制御手段は、前記半導体デバイスに対し、そのレイアウト情報を参照して、前記固浸レンズを介して前記検査光によって2次元走査すべき前記検査範囲を設定する検査範囲設定手段と、前記半導体デバイスの前記レイアウト情報を参照して、前記検査光導光光学系に対する前記半導体デバイスの位置を制御して、前記検査範囲を光軸に対して所定位置に配置する位置制御手段と、前記走査手段を駆動制御して、前記半導体デバイスの前記検査範囲内での前記固浸レンズを介した前記検査光による2次元走査を制御する走査制御手段とを有することを特徴とする半導体検査装置。

IPC (2件)：

G01R 31/26 , H01L 21/66

FI (2件)：

G01R31/26 G , H01L21/66 C

Fターム (19件)：

2G003AA07 , 2G003AA10 , 2G003AB18 , 2G003AF02 , 2G003AF03 , 2G003AF06 , 2G003AH01 , 2G003AH04 , 2G003AH10 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106CA15 , 4M106CA17 , 4M106DH12 , 4M106DH18 , 4M106DJ04 , 4M106DJ07 , 4M106DJ14 , 4M106DJ23

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体デバイスの故障診断方法と装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-202019 出願人：独立行政法人理化学研究所, NECエレクトロニクス株式会社
位置出し方法と装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-163004 出願人：NECエレクトロニクス株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

Transmission-Type Laser THz Emission Microscope Using a Solid Immersion Lens

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