特許
J-GLOBAL ID：201003092146300241

ポリスルホン系中空糸膜モジュールおよび製造方法

発明者：
上野 良之

上野 良之 について

, 
藤田 雅規

藤田 雅規 について

, 
菅谷 博之

菅谷 博之 について


出願人/特許権者：
東レ株式会社

東レ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-226406
公開番号（公開出願番号）：特開2010-104984
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：
【課題】 有機物やタンパク質、血小板付着などの付着が少ない高性能なポリスルホン系中空糸膜モジュールを提供することにある。【解決手段】ポリスルホン系中空糸膜が内蔵されたモジュールであって、ポリスルホン系中空糸膜の長手方向における端面近傍および中央部付近の機能層表面での、1730cm-1 付近のエステル基C=O由来の赤外吸収ピーク強度(ACO)の1580cm-1付近のポリスルホン系ポリマーのベンゼン環C=C由来の赤外吸収ピーク強度(ACC)に対する比(ACO)/(ACC)が、平均値0.005以上、かつ0.001以下の測定点の割合が10%以下であることを特徴とするポリスルホン系中空糸膜モジュール。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ポリスルホン系中空糸膜が内蔵されたモジュールであって、ポリスルホン系中空糸膜の長手方向における端面近傍および中央部付近の機能層表面での、1730cm-1 付近のエステル基C=O由来の赤外吸収ピーク強度(ACO)の1580cm-1付近のポリスルホン系ポリマーのベンゼン環C=C由来の赤外吸収ピーク強度(ACC)に対する比(ACO)/(ACC)が、平均値0.005以上かつ0.001以下の測定点の割合が10%以下であることを特徴とするポリスルホン系中空糸膜モジュール。
IPC (11件)：
B01D 69/02 ,  B01D 63/02 ,  B01D 71/68 ,  B01D 61/28 ,  B01D 67/00 ,  B01D 71/38 ,  B01D 71/40 ,  D06M 15/333 ,  D06M 15/21 ,  D06M 10/00 ,  A61M 1/18
FI (11件)：
B01D69/02 ,  B01D63/02 ,  B01D71/68 ,  B01D61/28 ,  B01D67/00 500 ,  B01D71/38 ,  B01D71/40 ,  D06M15/333 ,  D06M15/21 ,  D06M10/00 J ,  A61M1/18 500
Fターム (34件)：
4C077AA05 ,  4C077BB01 ,  4C077CC06 ,  4C077LL05 ,  4C077PP15 ,  4D006GA13 ,  4D006HA02 ,  4D006MA01 ,  4D006MB09 ,  4D006MB19 ,  4D006MC32X ,  4D006MC40X ,  4D006MC62X ,  4D006MC63X ,  4D006NA04 ,  4D006NA14 ,  4D006NA17 ,  4D006NA42 ,  4D006NA60 ,  4D006NA64 ,  4D006PB09 ,  4D006PC47 ,  4L031AA13 ,  4L031AB06 ,  4L031BA33 ,  4L031BA34 ,  4L031CB08 ,  4L031DA21 ,  4L033AA06 ,  4L033AB03 ,  4L033AC10 ,  4L033AC15 ,  4L033CA11 ,  4L033CA28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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