特許
J-GLOBAL ID：201003092894532295
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高田 守
, 高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-269561
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045417
出願日： 2009年11月27日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：
【課題】波長フィルタを必要とせずに高い選択比を得ることのできる半導体受光素子を提供する。また、短波長の光を選択的に受光可能な半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子は、下層から第1導電型の半導体層、第1の吸収層および窓層の順で形成された積層構造を含み、窓層の側から光が入射する。窓層は第2導電型の不純物領域を有し、第1の吸収層から見て窓層の側には、第1の吸収層よりもバンドギャップの大きい第2の吸収層が設けられている。窓層の上に、第1の吸収層のバンドギャップ波長より長波長の光を反射する多層反射層と、第2の吸収層とがこの順に積層された構造とすることができる。また、第1の吸収層から見て第1導電型の半導体層の側には、第1の吸収層よりもバンドギャップの小さい第3の吸収層が設けられている。第1導電型の半導体層と第1の吸収層との間に第3の吸収層を設けることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下層から第1導電型の第1の半導体層、第1の吸収層、および前記第1の吸収層よりバンドギャップの大きい第2の半導体層の順で形成された積層構造を含み、前記第2の半導体層の側から光が入射する半導体受光素子であって、
前記第2の半導体層は第2導電型の不純物領域を有し、
前記第2の半導体層の上には、前記第1の吸収層よりもバンドギャップが大きくて前記第2の半導体層よりもバンドギャップが小さい第2の吸収層が設けられていて、
前記第1の半導体層と前記第1の吸収層との間に、前記第1の吸収層よりもバンドギャップの小さい第3の吸収層を有することを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F049MA08
, 5F049MB07
, 5F049NA20
, 5F049NB01
, 5F049QA06
, 5F049QA13
, 5F049QA19
, 5F049SZ03
, 5F049SZ04
, 5F049SZ08
, 5F049SZ16
, 5F049WA01
