特許
J-GLOBAL ID:200903095329809044

半導体受光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川瀬 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-201519
公開番号(公開出願番号):特開2001-028454
出願日: 1999年07月15日
公開日(公表日): 2001年01月30日
要約:
【要約】【目的】 送信光λ<SB>1</SB>を発するLDと受信光λ<SB>2</SB>を受信するPDを同一のモジュール内に収容し、共通の光ファイバによって光信号を送受信するようにしたモジュールであってλ<SB>1</SB>がλ<SB>2</SB>より短波長である(λ<SB>1</SB><λ<SB>2</SB>)とき、LDからの送信光がPDに入射して光学的クロストークをおこすのを防ぐようにした受光素子を与えること。【構成】 受光素子の基板と受光層の間に、送信光λ<SB>1</SB>を吸収する吸収層を設け、下方からのλ<SB>1</SB>、斜め下方からのλ<SB>1</SB>が受光層にいたるのを防ぐ。基板の下に吸収層を設ける場合よりも受光層に近いから斜め下方からのλ<SB>1</SB>をも除去できる。
請求項(抜粋):
半導体基板と、半導体基板の上に設けられpn接合を有する受光層とを含み、受光層よりも吸収端波長の短い吸収層を半導体基板より受光層に近い側に少なくとも一つ設けたことを特徴とする半導体受光素子。
IPC (2件):
H01L 31/10 ,  H01L 31/0232
FI (2件):
H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 C
Fターム (34件):
5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA04 ,  5F049NB01 ,  5F049PA09 ,  5F049QA03 ,  5F049QA05 ,  5F049QA06 ,  5F049QA08 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ12 ,  5F049TA03 ,  5F049TA06 ,  5F049TA10 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13 ,  5F049TA14 ,  5F049WA01 ,  5F088AA02 ,  5F088AB07 ,  5F088BA03 ,  5F088BB01 ,  5F088CB09 ,  5F088DA01 ,  5F088GA05 ,  5F088HA12 ,  5F088JA03 ,  5F088JA07 ,  5F088JA10 ,  5F088JA12 ,  5F088JA13 ,  5F088JA14 ,  5F088LA01
引用特許:
審査官引用 (6件)
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