特許
J-GLOBAL ID：201003092930781140
半導体センサ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-047564
公開番号（公開出願番号）：特開2010-203818
出願日： 2009年03月02日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】ダイアフラムが破損しにくく、しかもセンサ感度のばらつきも小さな半導体センサを提供する。【解決手段】Si基板22とSi薄膜24をSiO2膜23を介して貼り合わせたSOI基板の下面に凹部26を形成する。Si薄膜24の一部が感圧領域であるダイアフラム25となっている。凹部26の上面外周部においては、SiO2膜23がダイアフラム25の下面外周部を覆っており、凹部26の上面の外周部を除く領域ではダイアフラム25の下面が露出している。ダイアフラム25の下面外周部を覆っているSiO2膜23(補強部23a)は、下面にテーパーを有しており、ダイアフラム25の外周側からダイアフラム25の中心部へ向かうに従って、次第に膜厚が薄くなっている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基台となる第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成された第2の半導体層とを備え、
前記第1の半導体層の下面から前記絶縁層の上面にかけて凹部が形成され、当該凹部の上面外周部においては前記第2の半導体層が前記絶縁層によって覆われ、前記凹部の上面の外周部を除く領域では前記第2の半導体層の感応領域が露出していることを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01L9/00 303C
, G01L9/00 303F
, H01L29/84 B
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF11
, 2F055FF45
, 2F055GG01
, 2F055GG15
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA01
, 4M112CA07
, 4M112CA16
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA06
, 4M112EA18
, 4M112FA20
