特許
J-GLOBAL ID：200903014022155942

薄膜構造体の形成方法並びに薄膜構造体、振動センサ、圧力センサ及び加速度センサ

発明者：
笠井 隆

笠井 隆 について

, 
若林 秀一

若林 秀一 について


出願人/特許権者：
オムロン株式会社

オムロン株式会社 について


代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-044870
公開番号（公開出願番号）：特開2007-225362
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】機械的応力が制御された弱い引張応力を持ち、かつ、導通化された薄膜構造体を形成するための方法を提供する。【解決手段】Si等の基板32の上にポリシリコン薄膜からなる下層膜35を形成した後、下層膜35にP等の不純物をドープして熱拡散させることにより下層膜35を導通化させる。ついで、下層膜35の上に、成膜されただけで導通化されていないポリシリコン薄膜からなる上層膜36を成膜する。上層膜36は、下層膜35の圧縮応力と同程度の引張応力を有しており、下層膜35及び上層膜36からなる薄膜構造体Aは全体として弱い引張応力を有するように調整されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の上に下層膜と上層膜とからなる薄膜構造体を形成するための方法であって、 基板の上にポリシリコン薄膜からなる下層膜を形成する工程と、 前記下層膜に不純物をドープして熱拡散させることにより前記下層膜を導通化させる工程と、 前記下層膜の上に、導通化されておらず、かつ、前記下層膜の圧縮応力と同程度の引張応力を有する、ポリシリコン薄膜からなる上層膜を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする薄膜構造体の形成方法。
IPC (9件)：
G01H 11/06 ,  B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H01L 29/84 ,  G01L 9/00 ,  G01P 15/125 ,  G01P 9/04 ,  H04R 19/04 ,  H04R 31/00
FI (9件)：
G01H11/06 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84 Z ,  G01L9/00 305B ,  G01P15/125 Z ,  G01P9/04 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 C
Fターム (41件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F105BB01 ,  2F105BB11 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  2G064AB01 ,  2G064AB02 ,  2G064AB13 ,  2G064BA07 ,  2G064BA08 ,  2G064BD05 ,  4M112AA01 ,  4M112AA06 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA14 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA10 ,  4M112EA18 ,  4M112FA09 ,  5D021DD01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)
  • 特許第6686637号
引用文献：
審査官引用 (1件)

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