特許

J-GLOBAL ID：201003093193598514

グラファイト薄膜の切断方法、グラファイト薄膜を備える積層基板、およびこれを用いる電界効果トランジスタ

発明者： 二瓶 史行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-277904
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109037
出願日： 2008年10月29日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】複雑な加工技術を用いることなく、グラファイト薄膜をナノスケール幅に切断することができるグラファイト薄膜の切断方法を提供すること。【解決手段】複数の段差部1aを有する基板1の表面に、グラファイト薄膜2を設ける工程と、グラファイト薄膜2が設けられた基板1を、酸素含有雰囲気下で加熱して、グラファイト薄膜2を段差部1aの位置で切断する工程とを含む、グラファイト薄膜の切断方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の段差部を有する基板の表面に、グラファイト薄膜を設ける工程と、 前記グラファイト薄膜が設けられた基板を、酸素含有雰囲気下で加熱して、前記グラファイト薄膜を前記段差部の位置で切断する工程とを含む、グラファイト薄膜の切断方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (7件)：

H01L29/78 618A ,  H01L21/302 104C ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 301H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/06 601N

Fターム (41件)：

5F004AA16 ,  5F004CA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA34 ,  5F004EA38 ,  5F045AB07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045CA05 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F140AA00 ,  5F140AB04 ,  5F140AC26 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BB01 ,  5F140BB06 ,  5F140BB19 ,  5F140BC11 ,  5F140BC17 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BJ05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• グラファイトリボンおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-070392   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 炭素材料とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315617   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置、及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-312684   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所