特許

J-GLOBAL ID：201003093799745156

電磁波検出素子

発明者： 岡田 美広
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-159671
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003766
出願日： 2008年06月18日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】フィルファクタの低下を抑えつつ、信号配線の電子ノイズをより低減させた電磁波検出素子を提供する。【解決手段】走査配線101、信号配線3、及び蓄積容量配線102をセンサ部103よりも下層に各々絶縁膜を介して設けられた異なる金属層により形成しており、信号配線3を下層に形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

並列に設けられた複数の走査配線と、 前記走査配線と交差して並列に設けられた複数の信号配線と、 前記走査配線と前記信号配線との交差部に対応して設けられ、前記走査配線と前記信号配線に接続された薄膜トランジスタと、 電磁波の照射に応じて電荷を発生する半導体層及び当該半導体層に発生した電荷を収集する収集電極を有し、前記薄膜トランジスタの各々に接続されたセンサ部と、 前記センサ部に対して共通にバイアス電圧を印加するために設けられた複数の共通配線と、を備え、 前記走査配線、前記信号配線、及び前記共通配線は前記センサ部よりも下層に各々絶縁膜を介して別々に設けられた配線層により形成されており、前記信号配線は前記走査配線及び前記共通配線が形成された配線層よりも前記収集電極から離れた配線層により形成された 電磁波検出素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/02

FI (3件)：

H01L27/14 C ,  H01L29/78 613Z ,  H01L31/02 A

Fターム (65件)：

4M118AA05 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB20 ,  4M118FB25 ,  4M118FB26 ,  4M118GA10 ,  4M118HA33 ,  5F088AB01 ,  5F088BA01 ,  5F088BA03 ,  5F088BB07 ,  5F088GA02 ,  5F088KA08 ,  5F088LA08 ,  5F110AA02 ,  5F110AA26 ,  5F110BB10 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK35 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• X線画像検出器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-516112   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• 撮像アレイ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-098710   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ