撮像アレイ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松本研一 , 小倉博 , 伊藤信和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-098710
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006780
出願日： 2003年04月02日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】撮像アレイを含む放射線検出器を提供する。【解決手段】放射線検出器(18)はトップ・ゲート薄膜トランジスタ(TFT)(28)を含み、該TFTはソース電極(50)、ドレイン電極(52)、ゲート電極(66)、第1の誘電体層(58)及び第2の誘電体層(62)を含む。第2の誘電体層は第1の誘電体層の表面を覆うように延在する。放射線検出器はまた、少なくとも2つの電極(54,68)及び誘電体層を含むキャパシタ(24)を含んでいる。キャパシタの誘電体層(64)はTFTの第2の誘電体層と一体に形成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ソース電極(50)、ドレイン電極(52)、ゲート電極(66)、第1の誘電体層(58)及び第2の誘電体層(62)を有するトップ・ゲート薄膜トランジスタ(TFT)(28)であって、前記第2の誘電体層が前記第1の誘電体層の表面の上に延在している、トップ・ゲート薄膜トランジスタ(TFT)(28)と、少なくとも2つの電極(54,68)及び誘電体層(64)を有するキャパシタ(24)であって、前記キャパシタの誘電体層が前記TFTの第2の誘電体層と一体に形成されている、キャパシタ(24)と、を含んでいる放射線検出器(18)。

IPC (5件)：

H01L27/14 , G01T1/20 , H01L27/146 , H01L31/09 , H04N5/32

FI (6件)：

H01L27/14 K , G01T1/20 E , G01T1/20 G , H04N5/32 , H01L31/00 A , H01L27/14 C

Fターム (48件)：

2G088EE01 , 2G088FF02 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ31 , 2G088JJ33 , 2G088JJ37 , 2G088KK05 , 2G088LL11 , 2G088LL12 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CA11 , 4M118CB06 , 4M118CB11 , 4M118CB14 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB26 , 4M118GA10 , 5C024AX11 , 5C024AX16 , 5C024CX01 , 5C024GY35 , 5C024HX41 , 5F088AA01 , 5F088AA03 , 5F088AB05 , 5F088BA18 , 5F088BB07 , 5F088CA02 , 5F088CB14 , 5F088CB15 , 5F088CB20 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088EA16 , 5F088FA04 , 5F088FA09 , 5F088FA11 , 5F088KA03 , 5F088LA08

引用特許：

審査官引用 (5件)

X線撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-045653 出願人：株式会社東芝
TFTアレイ基板とその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-321566 出願人：ホシデン株式会社
液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-116491 出願人：日本電気株式会社

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