特許
J-GLOBAL ID：201003094071806821

半導体装置及びその製造方法

発明者：
加治木 篤典

加治木 篤典 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-321038
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147153
出願日： 2008年12月17日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
【課題】薄型化された半導体チップが配線基板の間に実装されて樹脂封止された構造の半導体装置において、密着性が改善されて十分な信頼性が得られる半導体装置を提供する。【解決手段】第1配線基板10と、第1配線基板10の上にフリップチップ実装されて、上面が鏡面処理された半導体チップ30と、半導体チップ30の上面に形成された密着層40と、第1配線基板10の上にバンプ電極62を介して接続されて積層され、半導体チップ30を収容する収容部を構成する第2配線基板50と、第1配線基板10と第2配線基板50との間に充填されたモールド樹脂76とを含む。密着層40は離型材を含まない樹脂又はカップリング材から形成される。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1配線基板と、 前記第1配線基板の上にフリップチップ実装されて、上面が鏡面処理された半導体チップと、 前記半導体チップの上面に形成された密着層と、 前記第1配線基板の上にバンプ電極を介して接続されて積層され、前記半導体チップを収容する収容部を構成する第2配線基板と、 前記第1配線基板と前記第2配線基板との間に充填されたモールド樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H05K 1/14 ,  H05K 3/36 ,  H05K 3/28 ,  H05K 1/18
FI (5件)：
H01L23/30 D ,  H05K1/14 G ,  H05K3/36 B ,  H05K3/28 G ,  H05K1/18 L
Fターム (29件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109EE01 ,  5E314AA24 ,  5E314BB02 ,  5E314BB13 ,  5E314CC04 ,  5E314FF05 ,  5E314FF21 ,  5E314GG11 ,  5E336AA04 ,  5E336AA16 ,  5E336BB15 ,  5E336CC43 ,  5E336CC55 ,  5E336DD22 ,  5E336DD32 ,  5E336DD39 ,  5E336GG30 ,  5E344AA01 ,  5E344AA23 ,  5E344AA26 ,  5E344BB02 ,  5E344CD09 ,  5E344CD12 ,  5E344CD31 ,  5E344DD02 ,  5E344DD14 ,  5E344EE30
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (9件)
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