特許
J-GLOBAL ID：201003095234152723

トランジスタ型保護素子、半導体集積回路およびその製造方法

発明者：
井本 努

井本 努 について

, 
馬渡 浩三

馬渡 浩三 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-255556
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087291
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
【課題】保護素子のターンオン電圧を決める制約を少なくする。【解決手段】半導体基板1、Pウェル2、ゲート電極4、ソース領域5、ドレイン領域6および抵抗性降伏領域8を有する。抵抗性降伏領域8はドレイン領域6に接し、ゲート電極4直下のウェル部分と所定の距離だけ離れたN型半導体領域からなる。ドレイン領域6または抵抗性降伏領域8に接合降伏が発生するドレインバイアスの印加時に抵抗性降伏領域8に電気的中性領域(8i)が残るように、抵抗性降伏領域8の冶金学的接合形状と濃度プロファイルが決められている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板に形成された第1導電型半導体からなるウェルと、 前記ウェルに形成された第2導電型半導体からなるソース領域と、 前記ソース領域の一方側で、前記ウェルに対しゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の一方側に離れてウェル内に形成された第2導電型半導体からなるドレイン領域と、 前記ドレイン領域に接し、ゲート電極直下のウェル部分と所定の距離だけ離れた第2導電型半導体領域からなる抵抗性降伏領域と、 を有し、 前記ドレイン領域または前記抵抗性降伏領域に接合降伏が発生するドレインバイアスの印加時に前記抵抗性降伏領域に空乏化されない領域が残るように、前記抵抗性降伏領域の冶金学的接合形状と濃度プロファイルが決められている トランジスタ型保護素子。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73
FI (10件)：
H01L29/78 301K ,  H01L27/04 H ,  H01L29/78 301S ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/06 311A ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102F ,  H01L27/04 R ,  H01L29/72 Z ,  H01L27/06 101P
Fターム (133件)：
5F003AP06 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ15 ,  5F003BJ20 ,  5F003BJ90 ,  5F003BN01 ,  5F003BZ02 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038CA02 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AA03 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC07 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA06 ,  5F048BA07 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB15 ,  5F048BB16 ,  5F048BB20 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC07 ,  5F048BC19 ,  5F048BC20 ,  5F048BD04 ,  5F048BD09 ,  5F048BD10 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BH04 ,  5F048BH07 ,  5F048CA01 ,  5F048CA03 ,  5F048CC01 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC10 ,  5F048CC13 ,  5F048CC18 ,  5F082AA02 ,  5F082AA26 ,  5F082AA33 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082BC15 ,  5F082BC20 ,  5F082FA16 ,  5F082GA04 ,  5F140AA31 ,  5F140AA32 ,  5F140AA38 ,  5F140AB01 ,  5F140AB06 ,  5F140AB07 ,  5F140AB10 ,  5F140AC21 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BB13 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BD19 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BF47 ,  5F140BF51 ,  5F140BF53 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG38 ,  5F140BH02 ,  5F140BH05 ,  5F140BH12 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH17 ,  5F140BH19 ,  5F140BH30 ,  5F140BH34 ,  5F140BH35 ,  5F140BH41 ,  5F140BH42 ,  5F140BH43 ,  5F140BH49 ,  5F140BH50 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK17 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB02 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC13 ,  5F140CD02 ,  5F140CE07 ,  5F140DA06 ,  5F140DA08
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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