特許
J-GLOBAL ID：201003095332348628
配線基板及び半導体パッケージ並びにそれらの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-099989
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251552
出願日： 2009年04月16日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】接続信頼性が高く狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を有する配線基板、前記配線基板を有する半導体パッケージ、及びこれらの製造方法を提供する。【解決手段】支持体上に、前記支持体の表面を露出する柱状の貫通孔を有する第1金属層を形成し、前記柱状の貫通孔から露出する前記支持体の表面及び前記柱状の貫通孔の内壁面を覆うように第2金属層11aを形成する。前記第2金属層上に前記柱状の貫通孔を充填するように第3金属層11bを形成する。次に、前記第3金属層を覆うように前記第1金属層上に絶縁層12aを形成し、前記絶縁層の一方の面に、前記第3金属層と電気的に接続する配線層13aを形成する。次に、前記支持体及び前記第1金属層を除去し、前記第2金属層及び前記第3金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部11を形成する突出部形成工程と、を有する。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
支持体上に、前記支持体の表面を露出する柱状の貫通孔を有する第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、
前記柱状の貫通孔から露出する前記支持体の表面及び前記柱状の貫通孔の内壁面を覆うように第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、
前記第2金属層上に前記柱状の貫通孔を充填するように第3金属層を形成する第3金属層形成工程と、
前記第3金属層を覆うように前記第1金属層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の一方の面に、前記第3金属層と電気的に接続する配線層を形成する配線層形成工程と、
前記支持体及び前記第1金属層を除去し、前記第2金属層及び前記第3金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部を形成する突出部形成工程(1)と、を有する配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H05K 3/34
, H05K 1/09
H01L23/12 N
, H05K3/34 505A
, H05K1/09 C
4E351AA03
, 4E351AA04
, 4E351BB01
, 4E351BB24
, 4E351BB33
, 4E351BB35
, 4E351CC06
, 4E351DD04
, 4E351DD06
, 4E351DD24
, 4E351GG08
, 4E351GG11
, 5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319BB02
, 5E319CC33
, 5E319CD26
, 5E319GG01
