特許
J-GLOBAL ID：200903074528819272

チップキャリア及び半導体装置並びにチップキャリアの製造方法

発明者：
中村 清智

中村 清智 について

, 
関根 秀克

関根 秀克 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-103567
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177619
出願日： 2008年04月11日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】チップキャリアの配線層とバンプ形成面を分離することによりICチップ実装後の高い接合信頼性が得られるチップキャリア及び半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基板13の片面に電極パッド16と接合ろう15からなるバンプ21が、もう一方の面に配線層17及び配線層19からなる多層配線を形成してチップキャリア10を得る。さらに、ICチップのパッドとチップキャリア基板のバンプ21とを接合し半田フリップチップ実装して半導体装置を得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板に配線層及びバンプが形成されたチップキャリアにおいて、前記絶縁基板の片面に前記配線層が、もう一方の面に前記バンプが形成されていることを特徴とするチップキャリア。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60
FI (3件)：
H01L23/12 F ,  H01L21/60 311S ,  H01L23/12 501B
Fターム (4件)：
5F044KK09 ,  5F044KK17 ,  5F044KK19 ,  5F044LL01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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