モールド成形方法及びモールド成形装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：綿貫隆夫 , 堀米和春 , 堀内剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-328356
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153497
出願日： 2008年12月24日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】第1配線基板と第2配線基板との空間部内に、はんだボールの接続を維持し、溶融モールド樹脂の均一充填が困難な従来のモールド成形方法の課題を解消する。【解決手段】複数の第1配線基板が造り込まれた基板11の搭載面に、前記第1配線基板に対応する第2配線基板16がはんだボール18で接続された半導体装置をキャビティ32内に挿入し、第2配線基板16にリリースフィルム31を介して当接する駒板34が、第2配線基板16に対し独立して接離するモールド金型を用い、第2配線基板16に対し、基板11と第2配線基板16との間隔が充填された溶融モールド樹脂の圧力での拡大を許容する第1圧力をバネ36で駒板34に加え、基板11と第2配線基板16との空隙内にモールド樹脂を充填した後、はんだボール18の接続が剥離されることを防止すべく、ストッパー40,40に当接した駒板34から第1圧力よりも高圧の第2圧力を第2配線基板16に加えて、キャビティ32内にモールド樹脂を注入する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1配線基板の搭載面に搭載された半導体素子と前記搭載面との間にアンダーフィル剤が充填され、且つ前記第1配線基板の搭載面に第2配線基板がはんだボールによって電気的に接続されて積層されている半導体装置を、モールド金型のキャビティ内に挿入して、前記第1配線基板と第2配線基板との空隙にモールド樹脂を充填する際に、前記モールド金型として、前記キャビティ内に挿入された半導体装置の第2配線基板の表面側にリリースフィルムを介して当接する駒板が、前記第2配線基板に対し独立して接離可能に設けられているモールド金型を用い、前記モールド金型のキャビティ内に挿入した前記半導体装置の第2配線基板に対し、前記第1配線基板と第2配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大することを許容する所定の第1圧力を前記駒板から加えつつ、モールド樹脂を前記キャビティ内に充填して、前記半導体装置の第1配線基板と第2配線基板との空隙内にモールド樹脂を充填した後、前記第1配線基板と第2配線基板との間隔が充填されたモールド樹脂の圧力で拡大して前記はんだボールの接続が剥離されることを防止できるように、前記第1圧力よりも高圧の第2圧力を前記駒板から第2配線基板に加えつつ、前記キャビティ内にモールド樹脂を注入することを特徴とするモールド樹脂成形方法。

IPC (5件)：

H01L 21/56 , B29C 45/02 , B29C 39/26 , B29C 39/10 , B29C 33/68

FI (5件)：

H01L21/56 T , B29C45/02 , B29C39/26 , B29C39/10 , B29C33/68

Fターム (53件)：

4F202AD23 , 4F202AD35 , 4F202AG03 , 4F202AH36 , 4F202AH37 , 4F202CA01 , 4F202CA11 , 4F202CB12 , 4F202CB17 , 4F202CB20 , 4F202CK19 , 4F202CK52 , 4F202CK74 , 4F202CK75 , 4F202CM72 , 4F202CM82 , 4F202CQ03 , 4F204AA36 , 4F204AA39 , 4F204AD23 , 4F204AD35 , 4F204AH33 , 4F204AH36 , 4F204AH37 , 4F204AR02 , 4F204EA03 , 4F204EA07 , 4F204EB01 , 4F204EB11 , 4F204EB12 , 4F204EF27 , 4F204EK10 , 4F204EK17 , 4F204EK24 , 4F206AD23 , 4F206AD35 , 4F206AG03 , 4F206AH36 , 4F206AH37 , 4F206JA02 , 4F206JA07 , 4F206JB12 , 4F206JB17 , 4F206JB20 , 4F206JM04 , 4F206JN33 , 4F206JQ81 , 4F206JT11 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA21 , 5F061DA06 , 5F061DB01

引用特許：

出願人引用 (1件)

チップ内蔵基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-218182 出願人：新光電気工業株式会社

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