特許
J-GLOBAL ID：201003096813004090
圧電素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-319906
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147088
出願日： 2008年12月16日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
【課題】エピタキシャル成長されたPZT膜を適度なエッチングレートで加工可能な圧電素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1電極膜11上に、PZT膜15をエピタキシャル成長させる成長工程と、成長工程の後に、エッチング液を用いてPZT膜15を所望の形状に加工する加工工程と、を備え、エッチング液は、塩酸及び硝酸のうち少なくとも一方の酸を、エッチング液の重量に対する塩酸及び硝酸のそれぞれの重量濃度をCHCl及びCHNO3とした場合にCHCl+3.3CHNO3が1wt%以上10wt%以下となるように含有すると共に、フッ化アンモニウム及びフッ化水素のうち少なくとも一方のフッ素化合物を、エッチング液の重量に対する、フッ化アンモニウム及びフッ化水素に由来するフッ素の重量濃度が0.1wt%以上1wt%以下となるように含有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
下部電極膜上に、ジルコン酸チタン酸鉛膜をエピタキシャル成長させる成長工程と、
前記成長工程の後に、エッチング液を用いて前記ジルコン酸チタン酸鉛膜を所望の形状に加工する加工工程と、
を備え、
前記エッチング液は、
塩酸及び硝酸のうち少なくとも一方の酸を、前記エッチング液の重量に対する前記塩酸及び前記硝酸のそれぞれの重量濃度をCHCl及びCHNO3とした場合にCHCl+3.3CHNO3が1wt%以上10wt%以下となるように含有すると共に、
フッ化アンモニウム及びフッ化水素のうち少なくとも一方のフッ素化合物を、前記エッチング液の重量に対する、前記フッ化アンモニウム及び前記フッ化水素に由来するフッ素の重量濃度が0.1wt%以上1wt%以下となるように含有する圧電素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 41/22
, H01L 41/18
, H01L 41/24
, H01L 41/09
, H01L 21/316
, H01L 21/308
H01L41/22 Z
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 A
, H01L41/08 C
, H01L41/08 L
, H01L21/316 Y
, H01L21/308 E
5F043AA37
, 5F043AA38
, 5F043BB25
, 5F043DD12
, 5F043FF05
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BD01
, 5F058BD05
, 5F058BE10
, 5F058BF02
, 5F058BF12
, 5F058BH11
, 5F058BJ10
