特許
J-GLOBAL ID：200903016809895962

金属酸化物薄膜素子の製造方法

発明者：
羽賀 浩一

羽賀 浩一 について

, 
梨本 恵一

梨本 恵一 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297660
公開番号（公開出願番号）：特開2001-116943
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 より高い生産性を有し、良好な特性を有する金属酸化物薄膜素子、特に強誘電体薄膜素子を製造する方法を提供することにあり、より詳細には、良好な特性を有する微細パターンを効率良く形成することが可能で、広範囲の強誘電体薄膜素子を生産性良く作製することが可能な前記素子の製造法を提供すること。【解決手段】 第一の層の上に、第二の層として化学量論組成よりも過剰の鉛を含有するアモルファス状金属酸化物薄膜を形成する工程、該アモルファス状金属酸化物薄膜をエッチングする工程、およびエッチングされたアモルファス状金属酸化物薄膜を加熱により結晶化する工程を含むことを特徴とする、金属酸化物薄膜素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
第一の層の上に、第二の層として化学量論組成よりも過剰の鉛を含有するアモルファス状金属酸化物薄膜を形成する工程、該アモルファス状金属酸化物薄膜をエッチングする工程、およびエッチングされたアモルファス状金属酸化物薄膜を加熱により結晶化する工程を含むことを特徴とする、金属酸化物薄膜素子の製造方法。
IPC (5件)：
G02B 6/13 ,  G02B 5/18 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4件)：
G02B 5/18 ,  H01L 27/10 451 ,  G02B 6/12 M ,  H01L 27/10 651
Fターム (13件)：
2H047KA05 ,  2H047PA02 ,  2H047PA06 ,  2H047PA24 ,  2H049AA37 ,  2H049AA44 ,  2H049AA46 ,  5F083AD11 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083PR05 ,  5F083PR25 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (4件)
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