半導体発光素子用電極及び半導体発光素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-221899
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056423
出願日： 2008年08月29日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】高反射率と低接触抵抗を両立させることのできる半導体発光素子用電極及びこれを用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】LEDチップ100におけるAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、かつ0≦x+y≦1)の一般式で表される半導体層と接触するp側電極120が、当該半導体上に形成されAgを主成分としPd及びCuが添加されているAg合金層120aを含むようにした。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、かつ0≦x+y≦1)の一般式で表される半導体層と接触し、Agを主成分としPd及びCuが添加されているAg合金層を含む半導体発光素子用電極。

IPC (4件)：

H01L 33/36 , H01L 33/32 , H01S 5/042 , H01L 21/28

FI (5件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01S5/042 612 , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B

Fターム (26件)：

4M104AA04 , 4M104BB08 , 4M104BB14 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA86 , 5F041CB15 , 5F173AH22 , 5F173AK05 , 5F173AK13 , 5F173AK20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体デバイス用多層・高反射性オーミック接点
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-388352 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

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