特許

J-GLOBAL ID：201003098860334379

半導体記憶装置及びそのリードアクセス方法

発明者： 日比野 健次
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-286965
公開番号（公開出願番号）：特開2010-113777
出願日： 2008年11月07日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】プリチャージしてからリードを行う半導体記憶装置において、プリチャージ電流の集中を防ぎ、かつ、高速リードが可能な半導体記憶装置及びそのリードアクセス方法を提供する。【解決手段】複数のメモリセルアレイと、各メモリセルアレイに対してプリチャージ開始を指示する第一の信号とプリチャージの終了とリードアクセスへの移行を指示する第二の信号とを出力する制御回路と、を備え、第一の信号が各メモリセルアレイに対して時間差を持って到達するように遅延回路を介して配線され、第二の信号が遅延回路を介さずに配線されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルアレイと、 前記各メモリセルアレイに対してプリチャージ開始を指示する第一の信号と、前記プリチャージの終了とリードアクセスへの移行を指示する第二の信号と、を出力する制御回路と、 を備え、 前記第一の信号が、前記各メモリセルアレイに対して時間差を持って到達するように遅延回路を介して配線され、前記第二の信号が前記遅延回路を介さずに配線されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C17/00 601D ,  G11C17/00 631 ,  G11C17/00 634B

Fターム (11件)：

5B125BA01 ,  5B125CA01 ,  5B125CA15 ,  5B125CA25 ,  5B125DA05 ,  5B125DA09 ,  5B125EA07 ,  5B125ED09 ,  5B125EE09 ,  5B125EF10 ,  5B125FA02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-207955   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002001848   出願人：株式会社ルネサステクノロジ