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J-GLOBAL ID：201102200528453014   整理番号：11A0109000

2010 SISPADレビュー

2010 SISPAD Review

著者 (1件)： 鎌倉良成 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 274(SDM2010 171-184)  ページ： 1-4  発行年： 2010年11月04日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 2010 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices(2010 SISPAD)が2010年9月6日から8日にかけて,イタリア・ボローニャにて開催された。本稿では当会議で報告された論文の中から注目を集めたものについてその内容をレビューすると共に,全体的な動向についても概説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  *半導体素子 ,  国際会議 ,  技術展望 ,  *計算機シミュレーション ,  トランジスタ ,  電子技術 ,  記憶装置 ,  シミュレーション ,  プロセスシミュレーション ,  *CAD【計算機】 ,  モデリング ,  レビュー
準シソーラス用語： *TCAD ,  デバイスシミュレーション ,  ナノエレクトロニクス ,  *半導体デバイス ,  量子シミュレーション

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  CAD,CAM  (JE10000A)

引用文献 (30件)：

• http://www.sispad.org/
• http://sispad2010.arces.unibo.it/
• OKADA, T. A Comparative 3D Simulation Approach with Extensive Experimental Vt/Avt Data and Analysis of LER/RDF/Reliability of CMOS SRAMs at 40nm Node and Beyond. Proc. of SISPAD, 2010. 2010
• KOVAC, U. A Novel Approach to the Statistical Generation of Non-Normal Distributed PSP Compact Model Parameters Using a Nonlinear Power Method. Proc. of SISPAD, 2010. 2010
• KIM, Y.-H. Compact Process and Layout Aware Model for Variability Optimization of Circuit in Nanoscale CMOS. Proc. of SISPAD, 2010. 2010

タイトルに関連する用語 (1件)： レビュー