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J-GLOBAL ID：201102200555384482   整理番号：11A0912821

高k誘電体とPN接合におけるプラズマ帯電損傷とMOSFETのオフ状態漏れ電流への影響との比較研究

Comparative study of plasma-charging damage in high-k dielectric and p-n junction and their effects on off-state leakage current of MOSFETs

著者 (4件)： KAMEI M. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKAO Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ERIGUCHI K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONO K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 32nd  ページ： 189-190  発行年： 2010年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 誘電体 ,  PN接合 ,  *プラズマ曝露 ,  *帯電 ,  *損傷 ,  *MOSFET ,  *漏れ電流 ,  プラズマ装置 ,  反応器 ,  プラズマ ,  N型半導体 ,  時間依存性
準シソーラス用語： プラズマリアクタ ,  容量結合プラズマ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高k誘電体 ,  PN接合 ,  プラズマ ,  帯電 ,  損傷 ,  MOSFET ,  オフ状態 ,  漏れ電流 ,  研究