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J-GLOBAL ID：201102200840976504   整理番号：11A0474236

低電圧電子ビーム暴露における水素シルセスキオキサン化学に与えるプロセスパラメータの影響

Influence of process parameters on hydrogen silsesquioxane chemistry at low voltage electron beam exposures

著者 (7件)： RIO D. (CEA LETI Minatec, GRENOBLE, FRA) ,  SIEGERT L. (CEA LETI Minatec, GRENOBLE, FRA) ,  DERROUGH S. (CEA LETI Minatec, GRENOBLE, FRA) ,  CONSTANCIAS C. (CEA LETI Minatec, GRENOBLE, FRA) ,  ICARD B. (CEA LETI Minatec, GRENOBLE, FRA) ,  PAIN L. (CEA LETI Minatec, GRENOBLE, FRA) ,  MEYNEN H. (Dow Corning Europe S.A., Seneffe, BEL)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 87  号： 5-8  ページ： 914-917  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電圧 ,  電子ビーム ,  暴露 ,  水素シルセスキオキサン ,  化学 ,  プロセスパラメータ