CHOI Sang-Jun について
Samsung Electronics Co., Semiconductor R&D Center, 445-702, Gyeonggi, KOR について
KIM Guk-Bae について
Korea Inst. of Sci. and Technol., Center for Neural Sci., 136-791, Seoul, KOR について
LEE Kyoobin について
Korea Inst. of Sci. and Technol., Center for Neural Sci., 136-791, Seoul, KOR について
KIM Ki-Hong について
Samsung Advanced Inst. of Sci. and Technol., AE Center, 446-712, Gyeonggi, KOR について
YANG Woo-Young について
Samsung Advanced Inst. of Sci. and Technol., AE Center, 446-712, Gyeonggi, KOR について
CHO Soohaeng について
Yonsei Univ., Dep. of Physics, 220-710, Wonju, Gangwon, KOR について
BAE Hyung-Jin について
Samsung Electronics Co., Semiconductor R&D Center, 445-702, Gyeonggi, KOR について
SEO Dong-Seok について
Samsung Electronics Co., Semiconductor R&D Center, 445-702, Gyeonggi, KOR について
KIM Sang-Il について
Korea Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 136-713, Seoul, KOR について
LEE Kyung-Jin について
Korea Univ., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 136-713, Seoul, KOR について
Applied Physics. A. Materials Science & Processing について
薄膜抵抗器 について
シナプス について
哺乳類 について
脳 について
知能 について
効率 について
金属 について
酸化物 について
電子回路 について
ニューロン について
ニューラルネットワーク について
重みづけ について
データ蓄積 について
節点 について
塑性 について
時間依存性 について
信頼性 について
トランジスタ について
可塑性 について
抵抗変化 について
電圧パルス について
薄膜抵抗素子 について
不揮発性 について
履歴 について
LCR部品 について
神経系一般 について
酸化物 について
抵抗素子 について
シナプス について
挙動 について